IRF4104S
Produktcode: 99474
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 5.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF4104S | Hersteller : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4104S | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
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