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IRF4905LPBF

IRF4905LPBF Infineon Technologies

infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IRF4905LPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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500+2.08 EUR
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2000+1.87 EUR
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62+2.84 EUR
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56+3.15 EUR
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IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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1+7.31 EUR
10+3.71 EUR
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IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5871 Stücke:
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3+7.44 EUR
10+4.88 EUR
50+3.77 EUR
100+3.42 EUR
500+2.8 EUR
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IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2930 Stücke:
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33+7.77 EUR
58+4.06 EUR
100+3.19 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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AnzahlPrivatkunde
1000+2.13 EUR
2000+2.07 EUR
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AnzahlPrivatkunde
64+2.67 EUR
100+2.39 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
2000+1.68 EUR
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
64+2.73 EUR
100+2.49 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.92 EUR
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5000+1.81 EUR
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auf Bestellung 1050 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
239+2.77 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.39 EUR
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57+3.01 EUR
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MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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1+7.31 EUR
10+3.71 EUR
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1000+2.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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500+2.8 EUR
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IRF4905LPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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