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IRF510PBF

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF510PBF IRF510PBF
Produktcode: 44439
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Fairchild irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 95 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF510PBF
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IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2542 Stücke:
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120+1.22 EUR
144+0.98 EUR
146+0.93 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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120+1.22 EUR
144+1.01 EUR
146+0.97 EUR
500+0.8 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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119+1.23 EUR
142+1.01 EUR
145+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.55 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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119+1.24 EUR
142+1 EUR
144+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 1456 Stücke:
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55+1.3 EUR
83+0.87 EUR
90+0.8 EUR
100+0.74 EUR
250+0.65 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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101+1.45 EUR
127+1.14 EUR
250+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4563 Stücke:
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2+2.11 EUR
10+1.5 EUR
100+1.13 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 16787 Stücke:
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6+3.26 EUR
50+1.57 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.86 EUR
10000+0.81 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2542 Stücke:
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AnzahlPreis
120+1.22 EUR
144+0.98 EUR
146+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2542 Stücke:
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AnzahlPreis
120+1.22 EUR
144+1.01 EUR
146+0.97 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7277 Stücke:
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AnzahlPreis
119+1.23 EUR
142+1.01 EUR
145+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7285 Stücke:
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AnzahlPreis
119+1.24 EUR
142+1 EUR
144+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.48 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 1456 Stücke:
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AnzahlPreis
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1491 Stücke:
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AnzahlPreis
101+1.45 EUR
127+1.14 EUR
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1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
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AnzahlPreis
2+2.11 EUR
10+1.5 EUR
100+1.13 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
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5000+0.61 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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AnzahlPreis
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 8062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH