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IRF510PBF

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.36 EUR
145+1.18 EUR
153+1.09 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.44 EUR
138+1.24 EUR
146+1.14 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
136+1.25 EUR
144+1.15 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1610 Stücke:
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101+1.71 EUR
126+1.34 EUR
250+1.12 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 701 Stücke:
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76+2.27 EUR
128+1.3 EUR
145+1.11 EUR
153+1.01 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9489 Stücke:
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67+2.59 EUR
120+1.39 EUR
137+1.17 EUR
145+1.06 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2839 Stücke:
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66+2.62 EUR
120+1.39 EUR
138+1.17 EUR
146+1.06 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1560 Stücke:
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46+1.86 EUR
84+1.02 EUR
102+0.84 EUR
111+0.76 EUR
250+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.09 EUR
100+1.42 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 6592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
98+2.39 EUR
138+1.56 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 12745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.36 EUR
145+1.18 EUR
153+1.09 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.44 EUR
138+1.24 EUR
146+1.14 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.45 EUR
136+1.25 EUR
144+1.15 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+1.71 EUR
126+1.34 EUR
250+1.12 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.27 EUR
128+1.3 EUR
145+1.11 EUR
153+1.01 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.59 EUR
120+1.39 EUR
137+1.17 EUR
145+1.06 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2839 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
66+2.62 EUR
120+1.39 EUR
138+1.17 EUR
146+1.06 EUR
500+0.56 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+1.86 EUR
84+1.02 EUR
102+0.84 EUR
111+0.76 EUR
250+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6715 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.2 EUR
10+2.09 EUR
100+1.42 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 6592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.59 EUR
98+2.39 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 12745 Stücke:
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5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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