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IRF510PBF

IRF510PBF Fairchild

irf510.pdf
Produktcode: 44439
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
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IRF510 IRF510
Produktcode: 30002
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Hersteller : Siliconix irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
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2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRF510PBF
Produktcode: 186965
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4,7uF 400V ECR 10x16mm (ECR4R7M2GB-Hitano)
Produktcode: 3140
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ECR_081225.pdf
4,7uF 400V ECR 10x16mm (ECR4R7M2GB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 3978 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.11 EUR
100+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 3402 St.
208 St. - stock Köln
3194 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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3590 10K (KLS4-3590S-103 – KLS)
Produktcode: 56633
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3590 10K (KLS4-3590S-103 – KLS)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Widerstand wechselnd Draht- linear (±0,5%); Leistung=2W(bei +70°С), Präzision: ±5%, max.Spannung=315V; -55...+125°C; Montage im Gehäuse, Gewinde М9х0,75, Montageloch.10mm.
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=22mm, h Innenteil=18,6mm, H gesammt mit Stange=39,2mm
Потужність: 2 W
Шток: 12,7 mm
Характеристика: Лінійний
verfügbar: 1 St.
Anzahl Preis
1+2.6 EUR
10+2.36 EUR
100+2.17 EUR
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IRF9510
Produktcode: 57715
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description irf9510-datasheet.pdf
IRF9510
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
verfügbar: 57 St.
12 St. - stock Köln
45 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.33 EUR
10+0.32 EUR
100+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFG591.115
Produktcode: 59748
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BFG591.115
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
fT: 7000 MHz
Uceo,V: 3
Ucbo,V: 15
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
auf Bestellung 230 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.97 EUR
10+0.87 EUR
100+0.8 EUR
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