Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF510PBF Siliconix
IRF510PBF

IRF510PBF Siliconix

irf510.pdf
Produktcode: 30002
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 135/5
Montage: THT
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Теренко Владимир2025-08-14 10:00:37

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2889 Stücke:
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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70+3.59 EUR
117+2 EUR
150+1.43 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Semiconductors
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
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BF998R
Produktcode: 61169
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BF998R
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143R
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
verfügbar: 86 St.
  • 86 St. - stock Köln
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MER 470nF 100V K(+/-10%), P=10mm; 7x12,5x13mm (MER474K2ABA-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 2899
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MER_070523.pdf
MER 470nF 100V K(+/-10%), P=10mm; 7x12,5x13mm (MER474K2ABA-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 470 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 10 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 9x14,5x14 mm
Part Nummer: MER474K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 100 St.
  • 100 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 221 St.
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5,6nF 50V X7R 10% C1206 4k/reel (C1206B562K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 1947
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X7R_X5R.pdf
5,6nF 50V X7R 10% C1206 4k/reel (C1206B562K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 5,6 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 2959 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
21.7MHz (UM-5-21T7B) Paar
Produktcode: 1848
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21.7MHz (UM-5-21T7B) Paar
Hersteller: Strong
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Filter und Diskriminatoren
Frequenz: 21,7 MHz
Gehäuse: UM-5
Typ: Filter
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  • 695 Paar - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93A
Produktcode: 1793
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BFR93A
Hersteller: Infineon
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SOT-23
Frequenz, fT: 6 GHz
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung Uce, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucb, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A
verfügbar: 40 St.
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auf Bestellung: 657 St.
  • 657 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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