IRF520N
Produktcode: 25347
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRF520N IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF520NPBF Produktcode: 55824
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB |
auf Bestellung 3 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF520N nach Preis ab 1.95 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF520N | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF520N | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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