IRF520N
Produktcode: 25347
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
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Möglichen Substitutionen IRF520N IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IRF520NPBF Produktcode: 55824
1
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 9,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
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| IRF520NPBF Produktcode: 55824
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.49 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
Weitere Produktangebote IRF520N nach Preis ab 2.27 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IRF520N | Infineon |
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF520N |
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auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.27 EUR |