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IRF520N

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Produktcode: 25347
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF520N IRF520N Infineon info-tirf520n.pdf N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF520N
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
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