IRF520N

IRF520N

Produktcode: 25347
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details IRF520N

Preis IRF520N ab 1.24 EUR bis 1.24 EUR

IRF520N
Hersteller: IR
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20? Trans. IRF520N TO220 TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 200 Stücke
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IRF520N
IRF520N
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520N - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.5 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
Transistor Mounting: Through Hole
67670.pdf
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IRF520N
IRF520N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
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