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IRF520NPBF

IRF520NPBF

Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Produktcode: 55824
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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71+1.21 EUR
141+0.61 EUR
147+0.58 EUR
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160+0.54 EUR
250+0.51 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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152+1.14 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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85+2.07 EUR
152+1.12 EUR
168+0.98 EUR
500+0.76 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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71+1.21 EUR
141+0.61 EUR
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IRF520NPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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85+2.07 EUR
152+1.12 EUR
168+0.98 EUR
500+0.76 EUR
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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IRF520NPBF Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
auf Bestellung 5399 Stücke:
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Buchse auf Kabel 4-Kont. Raster 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
Produktcode: 12332
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Buchse auf Kabel 4-Kont. Raster 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)Buchse auf Kabel 4-Kont. Raster 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
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Hersteller: CviLux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Buchse auf Kabel 4 Kontakte, Raster 1.25 mm, 1A
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 4
Kontaktabstand: 1,25 мм
Steckverbinder-Serie: NX1251
Montage: Kabelmontage
auf Bestellung 1802 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CI44T011PE0 (Kontakte NX1251-TF, CI44)
Produktcode: 4792
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ci44-datasheet-cv.pdf
CI44T011PE0 (Kontakte NX1251-TF, CI44)
Hersteller: CviLux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte "Buchse" bis CI44, für Raster Steckverbinder 1.25 mm auf Draht: 28-32AWG
Stecker/Buchse: Kontakte / Aderendhülsen
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 1,25 мм
Steckverbinder-Serie: Kontakte für NX1251
Montage: Kabelmontage
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10+0.031 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3045
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EHR_081225.pdf
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 1893 St.
  • 375 St. - stock Köln
  • 1518 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10200 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2955
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 8762 St.
  • 994 St. - stock Köln
  • 7768 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
100+0.088 EUR
1000+0.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2428
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 8148 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.075 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH