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IRF520NPBF

IRF520NPBF

Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Produktcode: 55824
Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.3 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
91+0.79 EUR
104+0.69 EUR
122+0.59 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN-3362783.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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50+0.6 EUR
100+0.58 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF Hersteller : IR irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Транз. Пол. N-канал, TO-220, 9.7 А, 100 В, 48 Вт
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2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 33 Stück
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.045 EUR
100+0.04 EUR
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Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144385
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Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 678 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
1000 Stück - erwartet 15.10.2025
2000 Stück - erwartet
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Макетная плата 4x6 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144387
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Макетная плата 4x6 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 40x60мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 280 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 671 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 15.10.2025
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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irf520pbf-datasheet.pdf
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 22462 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30000 Stück:
30000 Stück - erwartet 31.08.2025
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