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IRF520NPBF

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Produktcode: 55824
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Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 844 Stücke:
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67+1.27 EUR
113+0.76 EUR
120+0.71 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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97+1.78 EUR
146+1.14 EUR
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203+0.76 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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10+2.18 EUR
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50+1 EUR
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500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 30029 Stücke:
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93+2.7 EUR
195+1.19 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
368+0.46 EUR
384+0.44 EUR
393+0.42 EUR
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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348+0.5 EUR
369+0.45 EUR
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395+0.39 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+0.54 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.56 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.38 EUR
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.56 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1124+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
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IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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113+0.76 EUR
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27224 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+1.78 EUR
146+1.17 EUR
183+0.9 EUR
203+0.8 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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500+0.69 EUR
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IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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220uF 16V ELV SMD sizeD 8x6.5 (ELV221M16RD) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 15890
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ELV_090806.pdf
220uF 16V ELV SMD sizeD 8x6.5 (ELV221M16RD) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: ELV, SMD
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: SMD size D
Max. Welligkeitsstrom: 280 mA
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 899 St.
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.15 EUR
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DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B) (DB-09M) Steckverbinder
Produktcode: 3565
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B) (DB-09M) Steckverbinder
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Funktionsbeschreibung: D-SUB Stifte für Kabel 2-reihig, 9 Kontakte
Stecker oder Buchse: Stecker
Anzahl Kontakte: 9
Serie: DB
Mechanische Montage: Für Draht
Räumliche Ausrichtung: Gerade
verfügbar: 29 St.
  • 29 St. - stock Köln
erwartet: 15330 St.
  • 330 St. - erwartet
  • 15000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
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10+0.2 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3045
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EHR_081225.pdf
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 375 St.
  • 375 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1248 St.
  • 1248 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2955
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2428
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EXR_080421.pdf
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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