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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)

IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)

irf520pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 156292
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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IRF520 IRF520
Produktcode: 23704 		Hersteller : IR IRF520.pdf packaging.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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152+1.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 152
IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : VISHAY IRF520PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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59+1.23 EUR
107+ 0.67 EUR
120+ 0.6 EUR
134+ 0.53 EUR
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : VISHAY IRF520PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 124
IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET
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100+ 1.6 EUR
500+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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100+ 1.73 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.19 EUR
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 845 Stücke:
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013187849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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IRF520PBF IRF520PBF Hersteller : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9520PBF
Produktcode: 123233		 91074-datasheet.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 101 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1327		 RC_series.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 4800 Stück
erwartet: 100000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF510PBF
Produktcode: 44439		 irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 188 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
22uF 25V EMR 5x7mm (EMR220M25B-Hitano)
Produktcode: 50509		 EMR_080514.pdf
22uF 25V EMR 5x7mm (EMR220M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x7mm
Lebensdauer: 5х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 6981 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.03 EUR
100+ 0.016 EUR
1000+ 0.014 EUR
1N4007-SMD M7 DO214AC
Produktcode: 73458		 K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 15245 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.017 EUR
1000+ 0.011 EUR