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IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)

IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)

Produktcode: 23704
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
140+1.24 EUR
153+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
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153+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.34 EUR
132+1.29 EUR
146+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 273 Stücke:
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130+1.36 EUR
131+1.32 EUR
145+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 456 Stücke:
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129+1.37 EUR
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IRF520PBF IRF520PBF VISHAY VISH-S-A0019270470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
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IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 456 Stücke:
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65+1.33 EUR
79+1.08 EUR
87+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF520PBF irf520.pdf description Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
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4+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description irf520.pdf
IRF520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
139+1.27 EUR
140+1.24 EUR
153+1.11 EUR
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IRF520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF description VISH-S-A0019270470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 456 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
65+1.33 EUR
79+1.08 EUR
87+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description irf520.pdf
Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
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SB5100
Produktcode: 22393
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ds30135-datasheet.pdf
SB5100
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
erwartet: 1250 St.
  • 1250 St. - erwartet 09.08.2026
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.32 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
  • 104 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1288 St.
  • 1288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (КТ815Г)
Produktcode: 4745
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cd00001225.pdf
BD139 (КТ815Г)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-4K7R-Hitano)
Produktcode: 3446
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MOR_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-4K7R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 4,7 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
auf Bestellung: 1160 St.
  • 1160 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.063 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SB540A-E3/73
Produktcode: 972
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SB520-SB5100.pdf
SB540A-E3/73
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,55 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 220 А
auf Bestellung: 305 St.
  • 305 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH