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IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)

IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)

Produktcode: 23704
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF520PBF IRF520PBF
    Produktcode: 216814
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    		IR IRF520PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
    Montage: THT
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    IRF520PBF
    Produktcode: 216814
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    		description IRF520PBF.pdf
    IRF520PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
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    Analogon IRF520PBF (TO-220AB, Vishay) Vishay

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
    Produktcode: 156292
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    		Siliconix irf520pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
    Montage: THT
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    IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
    Produktcode: 156292
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    		irf520pbf-datasheet.pdf
    IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
    Hersteller: Siliconix
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 240 Stücke:
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    148+1.19 EUR
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    IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 240 Stücke:
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    IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 373 Stücke:
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    138+1.27 EUR
    140+1.21 EUR
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    IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 357 Stücke:
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    139+1.27 EUR
    140+1.24 EUR
    156+1.09 EUR
    Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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    IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 100V
    Drain current: 6.5A
    Pulsed drain current: 37A
    Power dissipation: 60W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.27Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 16nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 718 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    65+1.33 EUR
    79+1.08 EUR
    87+0.99 EUR
    100+0.87 EUR
    250+0.74 EUR
    500+0.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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    IRF520PBF IRF520PBF Vishay irf520.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 718 Stücke:
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    123+1.42 EUR
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    500+1.02 EUR
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    IRF520PBF IRF520PBF VISHAY VISH-S-A0019270470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 60W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
    auf Bestellung 8 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF520PBF irf520.pdf description Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
    auf Bestellung 60 Stücke:
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    4+1.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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    IRF520PBF description irf520.pdf
    IRF520PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF520PBF description irf520.pdf
    IRF520PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF520PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF520PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    156+1.09 EUR
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    IRF520PBF
    Hersteller: VISHAY
    Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 100V
    Drain current: 6.5A
    Pulsed drain current: 37A
    Power dissipation: 60W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.27Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 16nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 718 Stücke:
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    AnzahlPrivatkunde
    65+1.33 EUR
    79+1.08 EUR
    87+0.99 EUR
    100+0.87 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF description irf520.pdf
    IRF520PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 718 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    109+1.63 EUR
    123+1.42 EUR
    250+1.18 EUR
    500+1.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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    IRF520PBF description VISH-S-A0019270470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRF520PBF
    Hersteller: VISHAY
    Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 60W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
    auf Bestellung 8 Stücke:
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    IRF520PBF description irf520.pdf
    Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
    auf Bestellung 60 Stücke:
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    SB5100
    Produktcode: 22393
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    		ds30135-datasheet.pdf
    SB5100
    Hersteller: Fairchild Semiconductor
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
    Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
    Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
    Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 А
    Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
    Montage: THT
    Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
    auf Bestellung 34 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.35 EUR
    10+0.24 EUR
    100+0.2 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BD140 (КТ814Г)
    Produktcode: 15292
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		BD136,138,140.pdf
    BD140 (КТ814Г)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
    Gehäuse: TO-126
    Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
    Spannung Uce, V: 80 V
    Spannung Ucb, V: 100 V
    Strom Ic, A: 1,5 A
    Stromverstärkung h21, max: 250
    verfügbar: 1433 St.
    • 104 St. - stock Köln
    • 1329 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.17 EUR
    10+0.14 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BD139 (КТ815Г)
    Produktcode: 4745
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    		cd00001225.pdf
    BD139 (КТ815Г)
    Hersteller: ST
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-126
    Transitfrequenz fT: 190 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
    Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
    Stromverstärkung h21: 250
    Montage: THT
    verfügbar: 7 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.12 EUR
      10+0.1 EUR
      100+0.095 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      4,7 kOhm 5% 2W axial (MOR200SJTB-4K7R-Hitano)
      Produktcode: 3446
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      		MOR_080911.pdf
      4,7 kOhm 5% 2W axial (MOR200SJTB-4K7R-Hitano)
      Hersteller: Hitano
      Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
      Nennwiderstand: 4,7 kOhm
      Toleranz und TKW: ±5%
      P Nenn., W: 2 W
      U Betrieb, V: 500 V
      Abmessungen: 11x4,0 mm; Ø Draht = 0,76 mm
      Typ: Metalloxid, Miniatur
      -55...+125°C
      HS-Code: 8533 21 00 00
      auf Bestellung 1160 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.042 EUR
      10+0.036 EUR
      100+0.024 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      SB540A-E3/73
      Produktcode: 972
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		SB520-SB5100.pdf
      SB540A-E3/73
      Hersteller: Vishay
      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
      Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
      Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
      Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A
      Durchlassspannung Vf, V: 0,55 V
      Montage: THT
      Stoßstrom Ifsm, A: 220 А
      auf Bestellung 305 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.38 EUR
      10+0.35 EUR
      100+0.26 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH