IRF520PBF
Produktcode: 216814
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
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Technische Details IRF520PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 9.2A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:9.2A
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.27ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:60W
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:9.2A
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.5`C/W
- Power Dissipation Pd:60W
- Pulse Current Idm:37A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Analogon IRF520PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRF520PBF (TO-220AB, Vishay) Produktcode: 23704
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Lieblingsprodukt
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Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 9,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16 Montage: THT |
verfügbar: 6 St.
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| IRF520PBF (TO-220AB, Vishay) Produktcode: 23704
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
Weitere Produktangebote IRF520PBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRF520PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 37A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRF520PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF520PBF |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF520PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.26 EUR |
| 141+ | 1.21 EUR |
| 154+ | 1.06 EUR |
| IRF520PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.37 EUR |
| 146+ | 1.19 EUR |
| 250+ | 0.99 EUR |
| IRF520PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 1.33 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 87+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.74 EUR |
| IRF520PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
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| IRF520PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF520PBF |
![]() |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.62 EUR |





