IRF5210LPBF
Produktcode: 85148
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Technische Details IRF5210LPBF
- MOSFET, P, 100V, 40A TO262
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:40A
- On State Resistance:0.06ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-262AB
- Termination Type:SMD
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:140A
- Transistor Case Style:TO-262AB
Weitere Produktangebote IRF5210LPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF5210LPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 11 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


