IRF5210LPBF


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Produktcode: 85148
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Technische Details IRF5210LPBF

  • MOSFET, P, 100V, 40A TO262
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:40A
  • On State Resistance:0.06ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-262AB
  • Termination Type:SMD
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Transistor Case Style:TO-262AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF5210LPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
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IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
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