IRF5210SPBF
Hersteller: IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
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Technische Details IRF5210SPBF
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V.
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IRF5210SPBF Produktcode: 37137
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Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 Id,A: 38 Rds(on),Om: 0.06 Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150 /: SMD |
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IRF5210SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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IRF5210SPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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IRF5210SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
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IRF5210SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC |
Produkt ist nicht verfügbar |