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IRF5210SPBF

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Produktcode: 37137
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 38
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
/: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF5210SPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
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IRF5210SPBF Hersteller : International Rectifier irf5210spbf.pdf P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF5210SPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF5210SPBF IRF5210SPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
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IRF5210SPBF IRF5210SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF5210S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
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BZX55-C20
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 20
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 16.0mV/K
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