IRF5305STRLPBF
Produktcode: 155127
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Technische Details IRF5305STRLPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:0.31A
- On Resistance, Rds(on):60mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:D2-Pak
- Power Dissipation, Pd:110W
Weitere Produktangebote IRF5305STRLPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 4.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 2316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 28576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
auf Bestellung 3384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 11800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 11800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |