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IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

irf5305spbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.82 EUR
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Technische Details IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+1.1 EUR
1600+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 800
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 842 Stücke:
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Anzahl Preis
118+1.23 EUR
119+1.17 EUR
141+0.95 EUR
250+0.91 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6010 Stücke:
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100+1.44 EUR
118+1.18 EUR
200+1.13 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
1600+0.67 EUR
3200+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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Mindestbestellmenge: 100
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 481 Stücke:
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Anzahl Preis
35+2.1 EUR
49+1.47 EUR
66+1.09 EUR
100+0.97 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 7404 Stücke:
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1+3.15 EUR
10+2.02 EUR
100+1.44 EUR
500+1.12 EUR
800+1.03 EUR
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2523 Stücke:
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100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7657 Stücke:
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: HEXFET
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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IRF5305STRLPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
auf Bestellung 323 Stücke:
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IRF5305STRLPBF
Produktcode: 155127
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