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IRF530PBF

IRF530PBF Vishay

irf530.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 290 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
120+1.46 EUR
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250+1.25 EUR
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Technische Details IRF530PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 88W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
86+0.99 EUR
96+0.89 EUR
102+0.84 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRF530PBF IRF530PBF Vishay Semiconductors irf530.pdf description MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
auf Bestellung 1408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.23 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF530PBF IRF530PBF Vishay Siliconix irf530.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.61 EUR
50+2.25 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF IRF530PBF VISHAY VISH-S-A0019267799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 77 Stücke:
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IRF530PBF irf530.pdf description IRF530PBF Транзисторы HEXFET
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IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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IRF530PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF description VISH-S-A0019267799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF530PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF Транзисторы HEXFET
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