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IRF530PBF

IRF530PBF Vishay

irf530.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF530PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : VISHAY IRF530PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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7+2.83 EUR
50+1.35 EUR
100+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf530.pdf MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF530PBF irf530.pdf IRF530PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF530PBF IRF530PBF Hersteller : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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