
IRF530PBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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99+ | 0.73 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
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Technische Details IRF530PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF530PBF nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF530PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 3879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
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