| Anzahl | Preis |
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| 184+ | 0.79 EUR |
| 185+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
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Technische Details IRF530PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF530PBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH |
auf Bestellung 3126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF530PBF |
IRF530PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF530PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |