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IRF540NPBF

IRF540NPBF INFINEON

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Produktcode: 222983
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Hersteller: INFINEON
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540NPBF IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 426 St.
  • 426 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
738+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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738+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.69 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8647 Stücke:
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112+1.55 EUR
113+1.48 EUR
192+0.83 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.75 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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1000+0.82 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1458 Stücke:
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43+1.99 EUR
86+1 EUR
91+0.94 EUR
99+0.86 EUR
106+0.81 EUR
500+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 45387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
133+1.75 EUR
150+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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Produktcode: 3289
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.8 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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43+1.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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