IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
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Technische Details IRF540NPBF IR
2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Fortschrittliche Verfahrenstechnik Ultra-Low-On-Widerstand Dynamische dv / dt-Bewertung 175 ° C Betriebstemperatur Schnelles Umschalten Bleifrei Hersteller Infineon (International Rectifier) Transistortyp N-MOSFET Polarisierung unipolar Transistor-Art HEXFET Drain-Source Spannung 100V Drainstrom 33A Leistung 130W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung 20V Widerstand im Leitungszustand 44mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.1K/W Montage THT Gewicht: 1.93 g Artikelnummer: 3289 |
Weitere Produktangebote IRF540NPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
auf Bestellung 9665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
auf Bestellung 9665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 47944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 738+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 10000+ | 0.7 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 738+ | 0.88 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 9665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 1.55 EUR |
| 117+ | 1.48 EUR |
| 199+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 4000+ | 0.77 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 1.55 EUR |
| 117+ | 1.44 EUR |
| 198+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 4000+ | 0.7 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 1.82 EUR |
| 75+ | 1.13 EUR |
| 94+ | 0.92 EUR |
| 118+ | 0.73 EUR |
| 135+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 13104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.83 EUR |
| 50+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| 5000+ | 0.7 EUR |
| 10000+ | 0.65 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 47944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.55 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 129+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
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| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung: 531 St.
- 531 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
19
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53619 St.
- 53619 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
- 3000 St. - erwartet 13.08.2026
- 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
- 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 1N5408 Produktcode: 2135
5
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
- 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4225 St.
- 4225 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.082 EUR |
| 100+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |









