IRF540NPBF


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Produktcode: 3289
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
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Technische Details IRF540NPBF IR

2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

 Ultra-Low-On-Widerstand

 Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       100V

Drainstrom         33A  

Leistung     130W       

Gehäuse    TO220AB  

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   44mΩ       

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    1.1K/W     

Montage   THT  

Gewicht: 1.93 g

Artikelnummer: 3289

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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198+0.82 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
75+1.13 EUR
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135+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 13104 Stücke:
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8+2.83 EUR
50+1.33 EUR
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 47944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
115+2.03 EUR
129+1.68 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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AnzahlPrivatkunde
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117+1.48 EUR
199+0.84 EUR
500+0.82 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
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IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung: 531 St.
  • 531 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53619 St.
  • 53619 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
  • 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4225 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.082 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.07 EUR
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