IRF540NPBF
Produktcode: 3289
2
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
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Technische Details IRF540NPBF IR
2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Fortschrittliche Verfahrenstechnik Ultra-Low-On-Widerstand Dynamische dv / dt-Bewertung 175 ° C Betriebstemperatur Schnelles Umschalten Bleifrei Hersteller Infineon (International Rectifier) Transistortyp N-MOSFET Polarisierung unipolar Transistor-Art HEXFET Drain-Source Spannung 100V Drainstrom 33A Leistung 130W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung 20V Widerstand im Leitungszustand 44mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1.1K/W Montage THT Gewicht: 1.93 g Artikelnummer: 3289 |
Möglichen Substitutionen IRF540NPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540NPBF Produktcode: 222983
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Lieblingsprodukt
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INFINEON |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 33 А Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF540NPBF Produktcode: 222983
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: INFINEON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
- 1000 St. - erwartet 20.09.2026
Weitere Produktangebote IRF540NPBF nach Preis ab 0.69 EUR bis 4.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
auf Bestellung 8490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 45868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 738+ | 0.87 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 738+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 10000+ | 0.69 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 1.48 EUR |
| 118+ | 1.44 EUR |
| 200+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| 4000+ | 0.76 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 1.49 EUR |
| 117+ | 1.43 EUR |
| 199+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 4000+ | 0.69 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 8490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.93 EUR |
| 10+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.82 EUR |
| 5000+ | 0.73 EUR |
| IRF540NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 45868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 4.02 EUR |
| 132+ | 1.76 EUR |
| 148+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.86 EUR |
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| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung: 447 St.
- 447 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
22
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 41149 St.
- 41149 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3963 St.
- 3963 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 1N5408 Produktcode: 2135
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
- 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3078 St.
- 3078 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.082 EUR |
| 100+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |








