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IRF540NPBF

IRF540NPBF

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Produktcode: 3289
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
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Technische Details IRF540NPBF IR

2/5 Stück IRF540NPBF International Rectifier Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

 Ultra-Low-On-Widerstand

 Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       100V

Drainstrom         33A  

Leistung     130W       

Gehäuse    TO220AB  

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   44mΩ       

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    1.1K/W     

Montage   THT  

Gewicht: 1.93 g

Artikelnummer: 3289

Weitere Produktangebote IRF540NPBF nach Preis ab 0.71 EUR bis 4.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 23339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
100+2.32 EUR
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5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 33A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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57+4.43 EUR
100+2.32 EUR
130+1.65 EUR
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5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description infineon-irf3205-datasheet-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3696 St.
  • 3696 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
erwartet: 80000 St.
  • 80000 St. - erwartet 26.11.2026
auf Bestellung: 20663 St.
  • 20663 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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39+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
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1N5408
Produktcode: 2135
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
erwartet: 2 St.
  • 2 St. - erwartet
auf Bestellung: 6272 St.
  • 6272 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
15+0.082 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH