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IRF9540NPBF

IRF9540NPBF

irf9540npbf.pdf
Produktcode: 31944
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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126+1.11 EUR
137+0.99 EUR
500+0.77 EUR
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3000+0.66 EUR
10000+0.61 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
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65+2.25 EUR
100+2.07 EUR
250+1.92 EUR
500+1.78 EUR
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110+1.28 EUR
122+1.1 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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6+3.2 EUR
50+1.54 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
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10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -23A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43049 Stücke:
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1737 St.
26 St. - stock Köln
1711 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 30.04.2026
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 4482 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 18598 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 80000 St.:
80000 St. - erwartet 17.04.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 15724 St.
1164 St. - stock Köln
14560 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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