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IRF9540NPBF

IRF9540NPBF

irf9540npbf.pdf
Produktcode: 31944
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF9540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf MOSFET P-CH 100V 23A TO-220
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2807 Stück
33 Stück - stock Köln
2774 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 3709 Stück:
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10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
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1N5822
Produktcode: 172107
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1N582x.pdf
1N5822
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 40 V
If(A): 0,125
VF@IF: 0,525 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 70 A
auf Bestellung 1650 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet 29.12.2025
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5362 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH