IRF9540NPBF


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Produktcode: 31944
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung 564 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.69 EUR
2000+1.55 EUR
5000+1.38 EUR
10000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15415 Stücke:
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1000+1.69 EUR
2000+1.51 EUR
5000+1.33 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 2335 Stücke:
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36+2.38 EUR
75+1.15 EUR
84+1.01 EUR
89+0.96 EUR
92+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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73+2.42 EUR
100+2.28 EUR
250+2.14 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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68+2.59 EUR
100+2.25 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.38 EUR
5000+1.21 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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68+2.59 EUR
100+2.31 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.5 EUR
5000+1.36 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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1+3.37 EUR
10+2.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
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60+4.18 EUR
117+2 EUR
140+1.54 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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5+5.05 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
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1000+1.65 EUR
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5000+1.4 EUR
10000+1.36 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 499 Stücke:
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35+5.11 EUR
70+2.43 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 499 Stücke:
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70+2.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30143 Stücke:
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34+5.21 EUR
69+2.53 EUR
100+2.24 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.46 EUR
5000+1.31 EUR
10000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.22 EUR
69+2.49 EUR
100+2.15 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.32 EUR
5000+1.15 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+1.69 EUR
2000+1.51 EUR
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10000+1.26 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 2335 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
36+2.38 EUR
75+1.15 EUR
84+1.01 EUR
89+0.96 EUR
92+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF9540NPBF infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1930 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
73+2.42 EUR
100+2.28 EUR
250+2.14 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16644 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
68+2.59 EUR
100+2.25 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.38 EUR
5000+1.21 EUR
10000+1.14 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16644 Stücke:
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68+2.59 EUR
100+2.31 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
auf Bestellung 7252 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.37 EUR
10+2.28 EUR
100+1.86 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
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60+4.18 EUR
117+2 EUR
140+1.54 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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50+2.48 EUR
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5000+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 499 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
35+5.11 EUR
70+2.49 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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69+2.53 EUR
100+2.24 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
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69+2.49 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1527 St.
  • 26 St. - stock Köln
  • 1501 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.05 EUR
10+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung 21231 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
18 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N4001-ds.PDF
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 54548 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°С
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
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