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IRF9540NPBF

IRF9540NPBF

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Produktcode: 31944
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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73+2.42 EUR
100+2.28 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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51+3.51 EUR
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50+3.53 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 27024 Stücke:
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63+3.97 EUR
99+2.37 EUR
123+1.75 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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5+4.93 EUR
10+3.18 EUR
50+2.42 EUR
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500+1.75 EUR
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2367 Stücke:
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF infineon-irf9540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13415 Stücke:
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IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 474 Stücke:
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IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 474 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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73+2.42 EUR
100+2.28 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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10+2.15 EUR
100+1.62 EUR
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1000+1.13 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16644 Stücke:
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IRF9540NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 27024 Stücke:
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63+3.97 EUR
99+2.37 EUR
123+1.75 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
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erwartet: 20 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 41000 St.
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  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 5921 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 20381 St.
  • 20381 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
23 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 27860 St.
  • 27860 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.039 EUR
39+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
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