IRF9540NPBF


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Produktcode: 31944
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON 2043041.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
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IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies infineonirf9540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.68 EUR
3000+0.63 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540NPBF 2043041.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 39976 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1581 St.
26 St. - stock Köln
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 25426 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 70826 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4387 St.
1164 St. - stock Köln
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPreis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
pc817a.pdf
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 10142 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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10+0.12 EUR
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