IRF9540NPBF

IRF9540NPBF

Produktcode: 31944
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97

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Technische Details IRF9540NPBF

Preis IRF9540NPBF ab 0.52 EUR bis 3.82 EUR

IRF9540NPBF
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P- ; Udss, = 100; Id = 23 ; Ptot, = 140; . = ; Ciss, @ Uds, = 1300 @ 25; Qg, = 97 @ 10 ; Rds = 117 @ 11 A, 10 ; T, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 @ 250 ; TO-220AB
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IRF9540NPBF
Hersteller:
IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
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IRF9540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF9540NPBF THT P channel transistors
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IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF
Hersteller:
IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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Hersteller: IR
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IRF9540N TO-220AB 100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET, 19A, RDS=0.117
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF9540NPBF THT P channel transistors
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
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IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
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техническая информация f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
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техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2752 Stück - stock Köln
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100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRSDS11283-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock Köln
411 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 7067 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
12 Stück - stock Köln
391 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 5879 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.45 EUR