IRF540NSPBF

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Produktcode: 34259
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details IRF540NSPBF

  • MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.052ohm
  • Power Dissipation:140W
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:33A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.1`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
  • Pulse Current Idm:110A
  • SMD Marking:IRF540NS
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Preis IRF540NSPBF ab 0 EUR bis 0 EUR

IRF540NSPBF
IRF540NSPBF
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller:
IRF540NS HEXFET POWER MOSFET D2PAK(TO263)
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IRF540NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
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IRF540NSPBF
Hersteller: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,D2PAK)
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IRF540NSPBF
IRF540NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 680/150
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Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
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