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IRF540NSPBF

IRF540NSPBF

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Produktcode: 34259
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
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Technische Details IRF540NSPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.052ohm
  • Power Dissipation:140W
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:33A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.1`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
  • Pulse Current Idm:110A
  • SMD Marking:IRF540NS
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF540NSPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 IRF540NSPBF Транзисторы
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF540NSPBF Hersteller : International Rectifier irf540ns.pdf (MFET,N-CH,94W,100V,27A,D2PAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
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CD4011BM96
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CD4011BM96
Hersteller: Texas Instruments
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: UND-NICHT 2 Eingangа
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...18V
T°C: -55...+125°C
verfügbar: 231 St.
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201 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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+1
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 35V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-D
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 129 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 10075 St.
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8095 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Beschreibung: Platte 16 Kontakte, Schritt 2,54, Breite: 7,62mm
К-сть контактів: 16
Тип панелі: Стандартні DIP
verfügbar: 2172 St.
556 St. - stock Köln
1616 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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1000+0.026 EUR
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Technologie: Li-poly
Größe/Typ: 8x37x59mm
Kapazität mAh: 2000 mAh
Form: призматична
Spannung, V: 3,7 V
Maximale Dauer: 2 A
Gewicht, g: 36 g
Відмінності: Із захисною платою, 2 провода
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400 St. - erwartet 07.10.2026
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