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IRF540NSPBF

IRF540NSPBF

irf540nspbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34259
Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
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Technische Details IRF540NSPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.052ohm
  • Power Dissipation:140W
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:33A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.1`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
  • Pulse Current Idm:110A
  • SMD Marking:IRF540NS
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF540NSPBF Hersteller : Infineon irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF540NSPBF IRF540NSPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-1732560.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
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BZV55-C9V1
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 5045 Stück
5000 Stück - stock Köln
45 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet 28.08.2025
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1735
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 510 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
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5,1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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5,1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 15925 Stück
5000 Stück - stock Köln
10925 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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