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IRF540SPBF SILI

sihf540s-datasheet.pdf
Produktcode: 123222
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Hersteller: SILI
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.56 EUR
84+2.06 EUR
100+1.88 EUR
250+1.77 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+2.31 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY irf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.08 EUR
55+1.55 EUR
67+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1863 Stücke:
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1+4.33 EUR
10+2.93 EUR
100+2.59 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.15 EUR
2000+1.98 EUR
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IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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35+5.11 EUR
67+2.52 EUR
100+2.18 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.96 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
69+2.56 EUR
84+2.06 EUR
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250+1.77 EUR
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1000+1.49 EUR
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IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.08 EUR
55+1.55 EUR
67+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF540SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
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10+2.93 EUR
100+2.59 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.15 EUR
2000+1.98 EUR
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IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4900 Stücke:
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35+5.11 EUR
67+2.52 EUR
100+2.18 EUR
500+1.36 EUR
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IRF540SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
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4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.96 EUR
100+2.67 EUR
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