IRF5802TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
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Technische Details IRF5802TR Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V.
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