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IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF Infineon Technologies

252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
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Technische Details IRF5803TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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3000+0.26 EUR
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
187+0.38 EUR
230+0.31 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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234+0.63 EUR
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF5803_DS_v01_01_EN-1227349.pdf MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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34+0.53 EUR
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
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IRF5803TRPBF Hersteller : IR irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
auf Bestellung 2524 Stücke:
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1+2.39 EUR
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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