IRF5805TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2372+ | 0.27 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
2372 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF5805TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IRF5805TRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5805TRPBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
IRF5805TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRF5805TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRF5805TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF5805TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF5805TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF5805TRPBF |
|
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF5805TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH