IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 1,8/2,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/3,6
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.4 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF5850TRPBF | International Rectifier |
TSOP-6 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRF5850TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRF5850TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF5850TRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
TSOP-6 Транзистори
TSOP-6 Транзистори
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| IRF5850TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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| IRF5850TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
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