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IRF5850TRPBF

IRF5850TRPBF

irf5850pbf.pdf
Produktcode: 34942
Hersteller: IR
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF5850TRPBF IRF5850TRPBF Hersteller : Infineon Technologies IRF5850PBF.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
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IRF5850TRPBF IRF5850TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5850pbf-1169403.pdf MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
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