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IRF610PBF (TO-220, IR)

IRF610PBF (TO-220, IR)

Produktcode: 33443
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
117+1.99 EUR
172+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Semiconductors irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4986 Stücke:
Lieferzeit 413-417 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.42 EUR
100+1.01 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF610PBF Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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IRF610PBF VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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117+1.99 EUR
172+1.25 EUR
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IRF610PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
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2+2.15 EUR
10+1.42 EUR
100+1.01 EUR
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IRF610PBF IRF610_Vishay_IR.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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