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IRF610PBF (TO-220, IR)

IRF610PBF (TO-220, IR)

Produktcode: 33443
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
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    Analogon IRF610PBF (TO-220, IR) IR

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
    Produktcode: 156293
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    		Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
    Montage: THT
    auf Bestellung 36 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
    Produktcode: 156293
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    		irf610pbf-datasheet.pdf
    IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
    Hersteller: Siliconix
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
    Montage: THT
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4087 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.83 EUR
    50+1.86 EUR
    100+1.67 EUR
    500+1.33 EUR
    1000+1.21 EUR
    2000+1.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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    IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 36W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
    auf Bestellung 315 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 8 Stücke:
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 100 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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    IRF610PBF Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
    verfügbar 4 Stücke:
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    IRF610PBF irf610.pdf
    IRF610PBF
    Hersteller: Vishay Siliconix
    Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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    6+3.83 EUR
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    IRF610PBF VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRF610PBF
    Hersteller: VISHAY
    Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 36W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Hersteller: Vishay
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    Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Hersteller: Vishay/IR
    N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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