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IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

irf610pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 156293
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 36 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF610PBF IRF610PBF
Produktcode: 33443
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Hersteller : IR irf610.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar: 15 St.
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.39 EUR
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
178+0.81 EUR
180+0.77 EUR
182+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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182+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 4087 Stücke:
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Anzahl Preis
6+3.22 EUR
50+1.56 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 137 Stücke:
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IRF610PBF Hersteller : Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 227 St.
2 St. - stock Köln
225 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 1907 St.:
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56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2264
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NPO.pdf
56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 56pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 8907 St.:
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Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2250
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NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 33pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 2230 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2070
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X7R_X5R.pdf
4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 3879 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.014 EUR
10000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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