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IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

irf610pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 156293
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
auf Bestellung 36 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF610PBF (TO-220, IR) IRF610PBF (TO-220, IR)
Produktcode: 33443
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
    1+0.6 EUR
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4087 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.83 EUR
    50+1.86 EUR
    100+1.67 EUR
    500+1.33 EUR
    1000+1.21 EUR
    2000+1.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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    IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 36W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
    auf Bestellung 315 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 8 Stücke:
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    IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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    IRF610PBF Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
    verfügbar 4 Stücke:
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    IRF610PBF (TO-220, IR)
    Produktcode: 33443
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    IRF610PBF (TO-220, IR)
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
    Montage: THT
    verfügbar: 15 St.
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      IRF610PBF irf610.pdf
      IRF610PBF
      Hersteller: Vishay Siliconix
      Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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      6+3.83 EUR
      50+1.86 EUR
      100+1.67 EUR
      500+1.33 EUR
      1000+1.21 EUR
      2000+1.13 EUR
      Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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      IRF610PBF VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      IRF610PBF
      Hersteller: VISHAY
      Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 36W
      SVHC: Lead (04-Feb-2026)
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
      auf Bestellung 315 Stücke:
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      IRF610PBF irf610.pdf
      IRF610PBF
      Hersteller: Vishay
      Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 100 Stücke:
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      IRF610PBF irf610.pdf
      IRF610PBF
      Hersteller: Vishay
      Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 8 Stücke:
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      IRF610PBF irf610.pdf
      IRF610PBF
      Hersteller: Vishay
      Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 100 Stücke:
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      IRF610PBF IRF610_Vishay_IR.pdf
      Hersteller: Vishay/IR
      N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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      IRF630NPBF
      Produktcode: 15961
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      		description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
      IRF630NPBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
      Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
      Montage: THT
      verfügbar: 223 St.
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      • 221 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.43 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      LM317T-DG
      Produktcode: 150592
      12 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		datasheet-lm317t-dg.pdf
      LM317T-DG
      Hersteller: ST
      IC > IC lineare Spannungsregler
      Gehäuse: TO-220
      Eingangsspannung Uin, V: 40 V
      Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 V
      Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
      Spannungsabfall Udrop, V: 1,25 V
      Ausgangstyp: Einstellbar
      Temperaturbereich: 0...125°C
      Montage: THT
      auf Bestellung 1769 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Produktcode: 2264
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      		NPO.pdf
      56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
      Kapazität: 56 pF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: NP0
      Präzision: ±5% J
      Baugröße: 1206
      UKTZED: 8532 24 00 00
      auf Bestellung 8703 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+0.036 EUR
      100+0.018 EUR
      1000+0.014 EUR
      10000+0.013 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Produktcode: 2250
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		NPO.pdf
      33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
      Kapazität: 33 pF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: NP0
      Präzision: ±5% J
      Baugröße: 1206
      UKTZED: 8532 24 00 00
      auf Bestellung 2130 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+0.036 EUR
      100+0.018 EUR
      1000+0.014 EUR
      10000+0.013 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Produktcode: 2070
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      		X7R_X5R.pdf
      4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
      Kapazität: 4,7 nF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: X7R
      Präzision: ±10% K
      Baugröße: 1206
      UKTZED: 8532 24 00 00
      auf Bestellung 3649 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+0.036 EUR
      100+0.019 EUR
      1000+0.017 EUR
      10000+0.015 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH