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IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

irf610pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 156293
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
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IRF610PBF IRF610PBF
Produktcode: 33443
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Hersteller : IR irf610.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.39 EUR
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.57 EUR
1900+0.5 EUR
2850+0.45 EUR
3800+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 255
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 8075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
50+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 503 Stücke:
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 245 Stücke:
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 245 Stücke:
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IRF610PBF Hersteller : Vishay/IR irf610.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
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IRF610PBF Hersteller : Vishay/IR irf610.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 242 Stück
2 Stück - stock Köln
240 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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IRF510PBF
Produktcode: 44439
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irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM339N
Produktcode: 3060
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm339 LM339.pdf en.CD00000460.pdf lm339-d.pdf
LM339N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: 2…28; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: ОК/ОС; Uсм, мV: 20; I-verbr., mA: 0,8;
Udss,V: 2...28 V
Id,A: 0.016 A
Bemerkung: -40...+85°C
auf Bestellung 60 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.24 EUR
100+0.19 EUR
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BC557B
Produktcode: 1826
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BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 975 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
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BFP490
Produktcode: 1820
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BFP490.pdf
BFP490
Hersteller: Infineon
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SCT-595
Freq.: 17 GHz
Typ: NPN
Uce, V: 4,5
Ucb, V: 15
Ic, A: 0,6
verfügbar: 226 Stück
4 Stück - stock Köln
222 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.29 EUR
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