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IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

IRF610PBF (TO-220, Siliconix)

irf610pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 156293
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 3,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
auf Bestellung: 36 St.
  • 36 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Analogon IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Siliconix

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF610PBF (TO-220, IR) IRF610PBF (TO-220, IR)
Produktcode: 33443
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
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IRF610PBF (TO-220, IR)
Produktcode: 33443
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IRF610PBF (TO-220, IR)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 140/8,2
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
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IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
117+1.99 EUR
172+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
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IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF610PBF Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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IRF610PBF VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
117+1.99 EUR
172+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6+3.83 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
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IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF610PBF IRF610_Vishay_IR.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 40 В
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 А
Spannungsabfall Udrop, V: 1,25 В
Ausgangstyp: Einstellbar
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
auf Bestellung: 1714 St.
  • 1714 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
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56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 2264
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NPO.pdf
56pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N560J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 56 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 8703 St.
  • 8703 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.024 EUR
10000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 2250
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NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 33 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 2030 St.
  • 2030 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.015 EUR
10000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 2070
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X7R_X5R.pdf
4,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 3639 St.
  • 3639 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.046 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.036 EUR
10000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH