IRF610PBF
Produktcode: 33443
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Analogon IRF610PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Produktcode: 156293
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 JHGF: THT |
auf Bestellung 36 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF610PBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IRF610PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
verfügbar 4 Stücke: |
||||||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 1.5Ω Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 36W Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |