IRF610PBF
Produktcode: 33443
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar 15 Stück:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
Produktrezensionen
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Analogon IRF610PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Produktcode: 156293
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 JHGF: THT |
auf Bestellung 50 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRF610PBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Produktcode: 156293
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 JHGF: THT |
auf Bestellung 50 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 4114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 4114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: THT |
auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF610PBF | Hersteller : Vishay/IR |
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF610PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF610PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |