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IRF630

IRF630 STMicroelectronics

3006.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961 		Hersteller : IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics 3006.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000701.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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10000+ 0.91 EUR
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630-1849162.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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IRF630 Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 260mOhm; 9A; 75W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRF630 Hersteller : Siliconix en.CD00000701.pdf N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 Hersteller : ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
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3+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 Hersteller : IR en.CD00000701.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
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10+ 3.96 EUR
100+ 3.6 EUR
IRF630 IRF630 Hersteller : Vishay sihf630p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF630 Hersteller : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics 3006.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630 IRF630 Hersteller : Vishay / Siliconix en.CD00000701.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF630PBF
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IRF630 Hersteller : NXP Semiconductors en.CD00000701.pdf MOSFETs
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IRF630 IRF630 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00000701.pdf MOSFETs
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IRF630 IRF630
Produktcode: 3058 		Hersteller : IR en.CD00000701.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
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