IRF630

IRF630 STMicroelectronics


3006.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
172+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Möglichen Substitutionen IRF630 STMicroelectronics

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
Hersteller : IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 99 Stück
2 Stück - stock Köln
97 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.36 EUR
10+ 0.35 EUR

Weitere Produktangebote IRF630 nach Preis ab 0.37 EUR bis 4.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics 3006.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+1.51 EUR
120+ 1.22 EUR
141+ 1 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.79 EUR
45+ 1.61 EUR
106+ 0.68 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.79 EUR
45+ 1.61 EUR
106+ 0.68 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000701.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 13108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.41 EUR
50+ 1.95 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.06 EUR
2000+ 1 EUR
5000+ 0.95 EUR
10000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics irf630-1849162.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.46 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.02 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 IRF630 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 260mOhm; 9A; 75W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 IRF630
Produktcode: 3058
Hersteller : IR en.CD00000701.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.4 EUR
10+ 0.37 EUR
IRF630 Hersteller : Siliconix en.CD00000701.pdf N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 Hersteller : ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 Hersteller : IR en.CD00000701.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.32 EUR
10+ 3.96 EUR
100+ 3.6 EUR
IRF630 IRF630 Hersteller : Vishay sihf630p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRF630 Hersteller : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF630 IRF630 Hersteller : STMicroelectronics 3006.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF630 IRF630 Hersteller : Vishay / Siliconix en.CD00000701.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF630PBF
Produkt ist nicht verfügbar
IRF630 Hersteller : NXP Semiconductors en.CD00000701.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
IRF630 IRF630 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00000701.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar