IRF630
Produktcode: 3058
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
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Technische Details IRF630 IR
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:9A
- On State Resistance:0.4ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.4ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation:100W
- Power Dissipation Pd:100W
- Pulse Current Idm:36A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Typ Capacitance Ciss:540pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:170ns
- Transistor Case Style:TO-220
Möglichen Substitutionen IRF630 IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IRF630NPBF Produktcode: 15961
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 09.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 JHGF: THT |
verfügbar: 227 St.
2 St. - stock Köln
225 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRF630 nach Preis ab 0.66 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF630 | Hersteller : HARRIS |
IRF630 |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF630 | Hersteller : HARRIS |
IRF630 |
auf Bestellung 10770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF630 | Hersteller : HARRIS |
IRF630 |
auf Bestellung 11535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 22679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF630 | Hersteller : ST MICROELECTRONICS |
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF630 | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF630 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |