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IRF630 STMicroelectronics

Name: IRF630
Brand: STMicroelectronics
SKU: 30474153-5
Price: 149.60000000000002 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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136+	1.10 EUR
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Mindestbestellmenge: 136

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Technische Details IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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IRF630NPBF
Produktcode: 15961

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Hersteller : IR

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT

verfügbar: 71 Stück

2 Stück - stock Köln
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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3384 Stücke:

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Anzahl	Preis
135+	1.11 EUR
136+	1.06 EUR
144+	0.97 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
2000+	0.67 EUR

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IRF630

Hersteller : Harris Corporation

HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 22729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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290+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 290

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
32+	2.25 EUR
60+	1.20 EUR
106+	0.67 EUR
113+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
32+	2.25 EUR
60+	1.20 EUR
106+	0.67 EUR
113+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 11621 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.57 EUR
50+	1.16 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp

auf Bestellung 2276 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	2.71 EUR
10+	1.24 EUR
100+	1.20 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IRF630

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRF630

Hersteller : JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

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50+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IRF630
Produktcode: 3058

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Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

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1+	0.40 EUR
10+	0.37 EUR

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IRF630

Hersteller : Siliconix

N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
50+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IRF630

Hersteller : HARRIS

IRF630

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
301+	1.86 EUR

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IRF630

Hersteller : HARRIS

IRF630

auf Bestellung 10820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
301+	1.86 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.44 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 301

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IRF630

Hersteller : HARRIS

IRF630

auf Bestellung 11535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
301+	1.86 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.44 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 301

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IRF630

Hersteller : ST MICROELECTRONICS

N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	3.10 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IRF630

Hersteller : IR

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	4.27 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.56 EUR

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IRF630

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IRF630

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6

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IRF630

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs

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IRF630

Hersteller : Microchip Technology

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IRF630

Hersteller : NXP Semiconductors

MOSFETs

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