
IRF630 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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40+ | 1.8 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
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Technische Details IRF630 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Möglichen Substitutionen IRF630 STMicroelectronics
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF630NPBF Produktcode: 15961
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 09.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 JHGF: THT |
verfügbar: 242 Stück
2 Stück - stock Köln
240 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRF630 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.97 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF630 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 Produktcode: 3058
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 200 Idd,A: 9 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 600/19 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : HARRIS |
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auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : HARRIS |
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auf Bestellung 10820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : HARRIS |
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auf Bestellung 11535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : ST MICROELECTRONICS |
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auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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IRF630 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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IRF630 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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IRF630 | Hersteller : Vishay |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |