Technische Details IRF630MFP ST
9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори.
Weitere Produktangebote IRF630MFP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IRF630MFP | STM | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори |
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IRF630MFP | STMicroelectronics | MOSFETs |
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| IRF630MFP |
Hersteller: STM
9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори
9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори
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| IRF630MFP |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs
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