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IRF640SPBF

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Produktcode: 175573
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.32 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.46 EUR
55+3.21 EUR
100+2.98 EUR
500+2.46 EUR
750+2.31 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.18 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.53 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.77 EUR
5000+1.67 EUR
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 145 Stücke:
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29+6.25 EUR
54+3.19 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.14 EUR
50+3.97 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.84 EUR
46+5.11 EUR
100+4.18 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.32 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.46 EUR
55+3.21 EUR
100+2.98 EUR
500+2.46 EUR
750+2.31 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.18 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.53 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.77 EUR
5000+1.67 EUR
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IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.25 EUR
54+3.19 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.85 EUR
10+5.14 EUR
50+3.97 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.84 EUR
46+5.11 EUR
100+4.18 EUR
500+3.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH