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IRF644

IRF644

IRF644.pdf
Produktcode: 22636
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
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Technische Details IRF644 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:14A
  • On State Resistance:0.28ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:250V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:56A
  • Voltage Vds:250V
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Möglichen Substitutionen IRF644 IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 181182
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Hersteller : IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 6 Stück:
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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36+1.99 EUR
100+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 36
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 6
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223
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Hersteller : SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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330 Ohm 1% 50ppm 0,6W (FM0207-330RFT-Cinetech)
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P Nenn.,W: 0,6W
U Betriebs.,V: 500V
Größe Typ: 6,5x2,3mm, DAusfuhr.=0,5mm
Typ: metall-folien
verfügbar: 2400 Stück
Anzahl Preis
10+0.012 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.0084 EUR
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Resistenz: 27 Ohm
Präzision: ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur
verfügbar: 2156 Stück
595 Stück - stock Köln
1561 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.012 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.0084 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BTA16-600CW3G
Produktcode: 54252
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BTA16-600CW3G
Hersteller: ON
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 600
I-auf, mA: 35
I max, A: 16
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.64 EUR
100+0.54 EUR
1000+0.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT138-600E.127 (BT138-600.127)
Produktcode: 39150
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BT138-600E.127 (BT138-600.127)
Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600
I-auf, mA: 35
I max, A: 12
auf Bestellung 162 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOC3021M
Produktcode: 37428
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MOC3021M
Hersteller: Fair
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Optosimistor NON-ZERO Triac
U-isol, kV: 7.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/1000
U ausg, V: 400
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
auf Bestellung 616 Stück:
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Anzahl Preis
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10+0.39 EUR
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