
IRF644PBF

Produktcode: 181182
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644 Produktcode: 22636
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 250 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 0.24 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF644PBF Produktcode: 123223
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : SILI |
![]() Uds,V: 250 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68 JHGF: THT |
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MER 100nF 250V K(+/-10%), P=10mm, 5,5x10x13mm (MER104K2EB-Hitano) Produktcode: 19339
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104K2EB
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104K2EB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 12630 Stück
33 Stück - stock Köln
12597 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.08 EUR |
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BZX55-C3V6 Produktcode: 17956
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,111
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,111
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
auf Bestellung 1831 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.03 EUR |
MPX(class X2) 4,7nF 310VAC K(+/-10%), P=10mm, 5x11x12,5mm (MPX472K2FBA-Hitano) Produktcode: 6560
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 4,7nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5x11x12,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX472K2FBA
ZCODE: 8532 25 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 4,7nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5x11x12,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX472K2FBA
ZCODE: 8532 25 00 00
verfügbar: 106 Stück
105 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.07 EUR |
1000+ | 0.07 EUR |
IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 567 Stück
39 Stück - stock Köln
528 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
528 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.40 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
BZV55-C6V2 Produktcode: 4319
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,2
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,2
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 640 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.03 EUR |