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IRF644PBF

IRF644PBF

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Produktcode: 181182
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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3+7.11 EUR
50+3.65 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF VISHAY VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPreis
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPreis
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
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IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Sicherung 6х30mm 10A 250V (GT1-4601B)
Produktcode: 22077
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Sicherung 6х30mm 10A 250V (GT1-4601B)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 6x30mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 6х30mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 2570 St.
  • 195 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,3 Ohm 5W 5% (SQP50JB-1R3)
Produktcode: 15063
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SQP_080911.pdf
1,3 Ohm 5W 5% (SQP50JB-1R3)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 1,3 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 471 St.
  • 59 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
1+0.25 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,2 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-6R2-Hitano)
Produktcode: 13895
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MOR_080911.pdf
6,2 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-6R2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 6,2 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 2732 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.035 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C10
Produktcode: 7857
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BZV55-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4 mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 694 St.
  • 300 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano)
Produktcode: 3021
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ECR_081225.pdf
3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x36mm
Lebensdauer: 18х36mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
100+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH