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IRF644PBF

IRF644PBF

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Produktcode: 181182
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ом
Montage: THT
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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202+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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198+0.86 EUR
201+0.82 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
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127+1.37 EUR
500+1.26 EUR
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auf Bestellung 272 Stücke:
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100+1.81 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 629 Stücke:
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59+3.01 EUR
70+2.5 EUR
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500+1.83 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 272 Stücke:
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42+4.2 EUR
71+2.4 EUR
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127+1.3 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 629 Stücke:
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29+3 EUR
47+1.82 EUR
56+1.54 EUR
100+1.43 EUR
250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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1+4.41 EUR
10+3 EUR
100+2.31 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF VISHAY VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 5500 Stücke:
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47+5.38 EUR
80+2.93 EUR
108+1.99 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.61 EUR
5000+1.29 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.62 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
500+3.76 EUR
1000+3.5 EUR
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1632 Stücke:
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1640 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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198+0.86 EUR
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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250+2 EUR
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Hersteller: Vishay
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Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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47+1.82 EUR
56+1.54 EUR
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250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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IRF644PBF VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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47+5.38 EUR
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IRF644PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Sicherung 6x30mm 10A 250V (GT1-4601B-10A/250V)
Produktcode: 22077
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Sicherung 6x30mm 10A 250V (GT1-4601B-10A/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 10A 250V 6x30mm F
Nennstrom: 10 A
Größe: 6x30 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 195 St.
  • 195 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2260 St.
  • 2260 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.079 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,3 Ohm 5W 5% (SQP50JB-1R3)
Produktcode: 15063
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SQP_080911.pdf
1,3 Ohm 5W 5% (SQP50JB-1R3)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 1,3 Ohm
Leistung: 5 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 750 V
Abmessungen, mm: 22.0x10.0x9.5; dlead = 0.8
Typ: bedrahtet, Zement, drahtgewickelt
verfügbar: 59 St.
  • 59 St. - stock Köln
auf Bestellung: 412 St.
  • 412 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,2 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-6R2-Hitano)
Produktcode: 13895
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MOR_080911.pdf
6,2 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-6R2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 6,2 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
auf Bestellung: 2727 St.
  • 2727 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.079 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C10
Produktcode: 7857
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BZV55.pdf
BZV55-C10
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 10 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 6,4 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 284 St.
  • 284 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.043 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3021
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ECR_081225.pdf
3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 01.11.2026
AnzahlPrivatkunde
1+1.17 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
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