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IRF644SPBF

IRF644SPBF Vishay

sihf644s.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRF644SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
17+4.35 EUR
35+2.10 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
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Type of transistor: N-MOSFET
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35+4.18 EUR
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
4+5.74 EUR
50+3.02 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
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Anzahl Preis
1+6.09 EUR
10+5.03 EUR
25+3.24 EUR
100+3.17 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.92 EUR
5000+2.82 EUR
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF644SPBF IRF644SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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