IRF6643TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 335+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
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Technische Details IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6643TRPBF nach Preis ab 1.01 EUR bis 3.56 EUR
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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| IRF6643TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF6643TRPBF SMD N channel transistors |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
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IRF6643TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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