IRF6643TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
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| 335+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
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Technische Details IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6643TRPBF nach Preis ab 1.2 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 9833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 3437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 3440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC |
auf Bestellung 7689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF6643TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF6643TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 9833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 335+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 335+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 335+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 85+ | 2.08 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 2.63 EUR |
| 78+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 2.64 EUR |
| 78+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
auf Bestellung 7689 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 250+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.9 EUR |
| 10+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF6643TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)