IRF6644TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.7 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 4800+ | 1.57 EUR |
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Technische Details IRF6644TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF6644TRPBF nach Preis ab 1.65 EUR bis 4.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® |
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