IRF6644TRPBF Infineon Technologies
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| 4800+ | 1.34 EUR |
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Technische Details IRF6644TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6644TRPBF nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 171243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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| IRF6644TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 258452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 6604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 18357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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