IRF6655TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF6655TRPBF Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET, Mounting: SMD, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Technology: HEXFET®, Drain current: 4.2A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel, Case: DirectFET, Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRF6655TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 4.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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IRF6655TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R |
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IRF6655TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: 100V 19A DIRECTFET-MV |
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IRF6655TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 4.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET |
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