IRF6665TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
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Technische Details IRF6665TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF6665TRPBF nach Preis ab 1 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRF6665TRPBF | Infineon Technologies |
IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com |
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IRF6665TRPBF | Infineon Technologies |
IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com |
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IRF6665TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
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IRF6665TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 42W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6665TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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| IRF6665TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
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|---|---|
| 617+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
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|---|---|
| 2+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 2500+ | 1.12 EUR |
| IRF6665TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.93 EUR |
| 108+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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