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IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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Technische Details IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
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102+1.68 EUR
200+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.55 EUR
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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84+2.07 EUR
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14138 Stücke:
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5+4.32 EUR
10+3.03 EUR
100+2.3 EUR
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
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61+3.86 EUR
100+2.46 EUR
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
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IRF6668TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6668TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
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IRF6668TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
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101+1.73 EUR
102+1.68 EUR
200+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.55 EUR
4800+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6668TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+1.82 EUR
106+1.64 EUR
109+1.56 EUR
120+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
97+1.82 EUR
106+1.61 EUR
109+1.51 EUR
120+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 7461 Stücke:
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352+1.88 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 8393 Stücke:
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352+1.88 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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79+2.24 EUR
84+2.07 EUR
100+1.84 EUR
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1000+1.4 EUR
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRF6668TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
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100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
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56+3.19 EUR
63+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF6668TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
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50+3.58 EUR
56+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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53+3.28 EUR
55+3.11 EUR
100+2.45 EUR
250+2.33 EUR
500+1.93 EUR
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IRF6668TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
auf Bestellung 7254 Stücke:
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10+2.93 EUR
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Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
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2000+1.59 EUR
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IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 181 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
40+6.4 EUR
61+3.86 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRF6668TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
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