IRF6715MTRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 100+ | 1.88 EUR |
| 250+ | 1.79 EUR |
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Technische Details IRF6715MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF6715MTRPBF nach Preis ab 1.79 EUR bis 5.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 180A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 78W Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC |
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IRF6715MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 180A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 78W Technology: HEXFET® |
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