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IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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Technische Details IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS19125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8299 Stücke:
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
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