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IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 38687681-3
Price: 5471.999999999999 EUR
Availability: InStock

irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

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Technische Details IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF6775MTRPBF nach Preis ab 0.84 EUR bis 2.94 EUR

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Beschreibung

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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128+	1.12 EUR
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500+	0.89 EUR
1000+	0.84 EUR

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : International Rectifier

IRSDS19125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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IRF6775MTRPBF

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315+	1.76 EUR

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf

MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio

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100+	1.61 EUR
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500+	1.36 EUR
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IRF6775MTRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke

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IRF6775MTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

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