IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 128+ | 1.12 EUR |
| 130+ | 1.06 EUR |
| 132+ | 1.01 EUR |
| 250+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
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Technische Details IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6775MTRPBF nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 1649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
auf Bestellung 5701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6775MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 28A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® |
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