IRF7104PBF
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Technische Details IRF7104PBF IR
- MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:PP
- Typ Voltage Vds:-20V
- Cont Current Id:2.3A
- On State Resistance:0.025ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:20V
- No. of Transistors:2
- Pin Format:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- Power Dissipation:2.0W
- Power Dissipation Pd:2W
- Pulse Current Idm:10A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF7104PBF
- Transistor Case Style:SOIC
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7104PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
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||
|
IRF7104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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5100 Stück - erwartet 09.03.2026Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC847ALT1G Produktcode: 51705
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ZCODE: SMD
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