IRF7104PBF

IRF7104PBF


infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Produktcode: 23932
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 67 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7104PBF IR

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:PP
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:2.3A
  • On State Resistance:0.025ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Transistors:2
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:2.0W
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7104PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

Weitere Produktangebote IRF7104PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7104PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104PBF IRF7104PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

BAS316
Produktcode: 203507
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BAS316-nex.pdf
BAS316
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 100 V
Iausricht.,А: 0,25 A
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
auf Bestellung 230 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5100 Stück:
5100 Stück - erwartet 09.03.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847ALT1G
Produktcode: 51705
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

bc846alt1-d.pdf
BC847ALT1G
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 290
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3564 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH