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IRF7105

IRF7105

irf7105-datasheet.pdf
Produktcode: 32592
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Idd,A: 3.5 (2.3)
Rds(on), Ohm: 0.1(0.25)
Ciss, pF/Qg, nC: 04.09.330
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar 175 St.:
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160 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Technische Details IRF7105 IR

  • MOSFET, DUAL NP LOGIC SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:3.5A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N/P
  • Voltage Vds:25V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7105 Hersteller : International Rectifier Corporation (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8)
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Resistenz: 560 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
verfügbar: 366 St.
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erwartet: 2000 St.
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100+0.015 EUR
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Kapazität: 33nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 6409 St.
1200 St. - stock Köln
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erwartet: 1000 St.
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Mindestbestellmenge: 10
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Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3010 St.:
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P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 40,6 V
n: 33 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: SMD
auf Bestellung 1121 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 7465 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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