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Technische Details IRF7201TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: PLANAR .
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRF7201TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH |
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| IRF7201TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH |
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| IRF7201TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: PLANAR <=40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
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IRF7201TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET PLANAR 40<-<100V |
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