IRF7204PBF International Rectifier/Infineon
Hersteller: International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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Technische Details IRF7204PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRF7204PBF | Hersteller : IR |
Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm |
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IRF7204PBF Produktcode: 51827
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IRF7204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7204PBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC |
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