Technische Details IRF7220TRPBF IR
Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7220TRPBF Produktcode: 112483
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Lieblingsprodukt
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IR |
 Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Uds,V: 14 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8075/84 /: SMD |
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| IRF7220TRPBF | International Rectifier |
MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори |
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IRF7220TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
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IRF7220TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC |
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| IRF7220TRPBF Produktcode: 112483
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 14 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8075/84
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
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Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8075/84
/: SMD
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| IRF7220TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори
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| IRF7220TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
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