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IRF7303


Hersteller: IR
SO-8
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Technische Details IRF7303 IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SO-8, Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V, Drain-Strom Idd, A: 4,9 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm, Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse, Montage: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7303 HXY MOSFET description Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRF7303 description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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