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IRF7307TRPBF

IRF7307TRPBF

irf7307pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40384
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7307TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:5.2A
  • On Resistance, Rds(on):90mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
  • Package/Case:8-SO
  • Power Dissipation, Pd:2W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7307TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8)
auf Bestellung 35 Stücke:
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IRF7307TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7307_DataSheet_v01_01_EN-3362956.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A
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Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 16х26mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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