Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7309TRPBF (N-Kanal-Feldeffekttransistoren)
IRF7309TRPBF (N-Kanal-Feldeffekttransistoren)

IRF7309TRPBF (N-Kanal-Feldeffekttransistoren)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Produktcode: 45192
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Produktrezensionen
    Produktbewertung abgeben

    Weitere Produktangebote IRF7309TRPBF (N-Kanal-Feldeffekttransistoren) nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.75 EUR

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: N and P-Channel
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 1.4W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 40000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4000+0.62 EUR
    8000+0.58 EUR
    12000+0.56 EUR
    20000+0.54 EUR
    28000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2146 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    140+1.26 EUR
    184+0.94 EUR
    500+0.73 EUR
    1000+0.64 EUR
    2000+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 140 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
    Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
    Type of transistor: N/P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30/-30V
    Drain current: 4/-3A
    Power dissipation: 1.4W
    Case: SO8
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 50/100mΩ
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    auf Bestellung 3926 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    52+1.65 EUR
    74+1.17 EUR
    121+0.7 EUR
    200+0.62 EUR
    500+0.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 52 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 3643 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    99+1.78 EUR
    157+1.11 EUR
    199+0.86 EUR
    500+0.68 EUR
    1000+0.61 EUR
    2000+0.56 EUR
    Mindestbestellmenge: 99 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 3643 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    99+1.78 EUR
    157+1.08 EUR
    199+0.82 EUR
    500+0.64 EUR
    1000+0.56 EUR
    2000+0.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 99 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2146 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    80+2.21 EUR
    140+1.21 EUR
    184+0.89 EUR
    500+0.67 EUR
    1000+0.6 EUR
    2000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 80 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: N and P-Channel
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 1.4W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 43523 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    9+2.51 EUR
    14+1.58 EUR
    100+1.05 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.74 EUR
    2000+0.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 9 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
    auf Bestellung 6507 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.75 EUR
    10+1.62 EUR
    100+1.12 EUR
    500+0.92 EUR
    1000+0.82 EUR
    2000+0.76 EUR
    4000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 3873 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 3873 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    4000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    4000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: N and P-Channel
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 1.4W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 40000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    4000+0.62 EUR
    8000+0.58 EUR
    12000+0.56 EUR
    20000+0.54 EUR
    28000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2146 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    140+1.26 EUR
    184+0.94 EUR
    500+0.73 EUR
    1000+0.64 EUR
    2000+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 140 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
    Category: Multi channel transistors
    Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
    Type of transistor: N/P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30/-30V
    Drain current: 4/-3A
    Power dissipation: 1.4W
    Case: SO8
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 50/100mΩ
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    auf Bestellung 3926 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    52+1.65 EUR
    74+1.17 EUR
    121+0.7 EUR
    200+0.62 EUR
    500+0.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 52 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 3643 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    99+1.78 EUR
    157+1.11 EUR
    199+0.86 EUR
    500+0.68 EUR
    1000+0.61 EUR
    2000+0.56 EUR
    Mindestbestellmenge: 99 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 3643 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    99+1.78 EUR
    157+1.08 EUR
    199+0.82 EUR
    500+0.64 EUR
    1000+0.56 EUR
    2000+0.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 99 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2146 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    80+2.21 EUR
    140+1.21 EUR
    184+0.89 EUR
    500+0.67 EUR
    1000+0.6 EUR
    2000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 80 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: N and P-Channel
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 1.4W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 43523 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    9+2.51 EUR
    14+1.58 EUR
    100+1.05 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.74 EUR
    2000+0.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 9 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
    auf Bestellung 6507 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    2+2.75 EUR
    10+1.62 EUR
    100+1.12 EUR
    500+0.92 EUR
    1000+0.82 EUR
    2000+0.76 EUR
    4000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 3873 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRF7309TRPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 3873 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH