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IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs)

IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Produktcode: 45192
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.5 EUR
8000+0.45 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.5 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.52 EUR
12000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.63 EUR
324+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.71 EUR
280+0.6 EUR
326+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.65 EUR
74+1.17 EUR
121+0.7 EUR
200+0.62 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
154+1.12 EUR
216+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
154+1.09 EUR
216+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 10485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 33554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
138+1.69 EUR
209+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.5 EUR
8000+0.45 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.5 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.52 EUR
12000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.63 EUR
324+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
242+0.71 EUR
280+0.6 EUR
326+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+1.65 EUR
74+1.17 EUR
121+0.7 EUR
200+0.62 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.68 EUR
154+1.12 EUR
216+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3643 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
104+1.68 EUR
154+1.09 EUR
216+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 10485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
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1000+0.62 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3873 Stücke:
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87+2.9 EUR
138+1.69 EUR
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