IRF7313PBF
Produktcode: 122873
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7313PBF IR
- MOSFET, DUAL, PP, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual P
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:6.5A
- On State Resistance:0.029ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Pin Configuration:c
- Pin Format:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- Power Dissipation:2W
- Power Dissipation Pd:2W
- Pulse Current Idm:30A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:7313
- Transistor Case Style:SOIC
Möglichen Substitutionen IRF7313PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRF7313 ( IRF7313TRPBF ) Produktcode: 23579
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 06.05.2015 Rds(on), Ohm: 0.29 Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Bem.: 2N JHGF: SMD |
verfügbar: 269 St.
12 St. - stock Köln
257 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRF7313PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRF7313PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
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| IRF7313PBF | Hersteller : International Rectifier |
SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7313PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7313PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC |
Produkt ist nicht verfügbar |