IRF7313PBF
Produktcode: 122873
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
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Technische Details IRF7313PBF IR
- MOSFET, DUAL, PP, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual P
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:6.5A
- On State Resistance:0.029ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Pin Configuration:c
- Pin Format:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- Power Dissipation:2W
- Power Dissipation Pd:2W
- Pulse Current Idm:30A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:7313
- Transistor Case Style:SOIC
Möglichen Substitutionen IRF7313PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7313TRPBF Produktcode: 23579
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 6,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі Montage: SMD |
verfügbar: 264 St.
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| IRF7313TRPBF Produktcode: 23579
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
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- 12 St. - stock Köln
- 252 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.44 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
Weitere Produktangebote IRF7313PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7313PBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7313PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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