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IRF7319PBF

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Produktcode: 24016
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
auf Bestellung 69 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRF7319PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:6.5A
  • On State Resistance:0.029ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:6.5A
  • Cont Current Id P Channel:4.9A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th N Channel 1:1.0V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1.0V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2W
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7319
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7319PBF International Rectifier/Infineon irf7319pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 299 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7319PBF description irf7319pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 20900 St.
  • 1100 St. - stock Köln
  • 19800 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
100+0.004 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logikpegelansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 6844 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.13 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
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Hersteller: Lite-On
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+110°C
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung 5788 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
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Nennwert: 10 kOhm
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U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 270441 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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