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IRF7319PBF

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irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
Produktcode: 24016
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 109 Stück:
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Technische Details IRF7319PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:6.5A
  • On State Resistance:0.029ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:6.5A
  • Cont Current Id P Channel:4.9A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th N Channel 1:1.0V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1.0V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2W
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7319
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7319PBF IRF7319PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS17715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7319PBF - IRF7319 - 20V-60V COMPLEMENTARY MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 99 Stücke:
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IRF7319PBF Hersteller : Infineon irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
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IRF7319PBF IRF7319PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7319PBF IRF7319PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN-1228230.pdf MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 58mOhms 22nC
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Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 300 Stück:
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