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IRF7328TRPBFXTMA1

IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON


3740600.pdf Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Verlustleistung, p-Kanal: 2W
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 Hersteller : INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
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Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
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Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF7328TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies irf7328.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 4000
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107+1.46 EUR
120+ 1.26 EUR
128+ 1.14 EUR
143+ 0.98 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.66 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7328_DataSheet_v01_01_EN-3223886.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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